Penulis: Prof. Pepen Arifin Reviewer: Prof. Toto Winata Penerbit: ITB Press ISBN: 978-623-297-421-0 (PDF) e-ISBN: 978-623-297-420-3
Sinopsis
Buku orasi ilmiah ini mengulas pengembangan material elektronik dan optoelektronik, khususnya semikonduktor paduan golongan III-V, seperti semikonduktor nitrida, semikonduktor arsenat/antimonat dan semikonduktor oksida. Material yang dikembangkan berupa film tipis yang disintesis menggunakan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Secara khusus buku ini menjelaskan secara detil pengembangan metode MOCVD hingga pembuatan peralatannya.
Pada bagian pendahuluan dipaparkan motivasi pengembangan material ini. Salah satunya adalah karena pentingnya aplikasi material untuk divais optoelektronik, seperti LED, yang memiliki dampak yang besar bagi umat manusia. Bab ini memberikan gambaran umum terkait sifat-sifat material, pembuatan dan karakterisasinya.
Pada bab selanjutnya dibahas semikonduktor golongan III- nitrida yang terdiri atas GaN, AlGaN dan InGaN. Pengembangan MOCVD yang dirancang khsus untuk menumbuhkan material tersebut, yaitu Plasma Assisted MOCVD, dibahas secara umum. Masalah-masalah terkait dengan proses penumbuhan, penggunaan substrat, lapisan penyangga dan optimasi parameter penumbuhan juga diuraikan. Bagian akhir dari bab ini menyajikan contoh aplikasi material GaN dan AlGaN untuk divais high electron mobility transistor (HEMT).
Di bab berikutnya diulas semikonduktor golongan III-arsenat/ antimonat, yang terdiri atas GaAs, GaSb dan GaAsSb. Penumbuhan film tipis material tersebut menggunakan MOCVD termal. Struktur pembahasan mirip dengan struktur pembahasan di bab sebelumnya. Oleh karena aplikasi material akan diarahkan pada penumbuhan struktur hetero dengan ketebalan lapisan yang tipis, maka diperlukan kemampuan deposisi dengan uniformitas ketebalan yang tinggi. Di bagian akhir bab ini diuraikan pengembangan MOCVD yang dapat diputar suseptornya untuk memperoleh hasil deposisi dengan uniformitas ketebalan yang tingi.
Bab ke-empat membahas pengembangan semikonduktor oksida, khususnya TiO2. MOCVD termal masih digunakan untuk pembuatan materialnya. Aplikasi material ini diarahkan sebagai diluted magnetic semiconductor (DMS) untuk aplikasi spintronik serta untuk sensor gas hidrogen. Karakterisasi magnetik dan karakterisasi respon terhadap eksposure gas hidrogen, diuraikan secara ringkas.
Sebagai penutup diuraikan potensi aplikasi dan tantangan dalam pengembangan material-material elektronik dan optoelektronik, khsusnya dalam membangun peralatan untuk sintesis material, sarana-prasaran untuk pembuatan divais dan karakterisasinya.
| Ukuran | B5 |
| Halaman | 81 |
| Cover | Doff |
Untuk akses e-book kunjungi link berikut:
Untuk pemesanan hubungi nomor:
- (022) 2512532 (FGB ITB)
- +62-877-8806-6848 (WhatsApp ITBPress)
